型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET N-Channel MOSFET78691+￥105.570010+￥100.9800100+￥100.1538250+￥99.5112500+￥98.50141000+￥98.04242500+￥97.39985000+￥96.8490 -
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品类: 双极性晶体管描述: 互补NPN - PNP功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors665710+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: 双极性晶体管描述: 高压彩色显示器的水平偏转输出 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output20095+￥18.778550+￥17.9760200+￥17.5266500+￥17.41431000+￥17.30192500+￥17.17355000+￥17.09337500+￥17.0130 -
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品类: 双极性晶体管描述: 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS946710+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
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品类: 双极性晶体管描述: 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors58725+￥20.439950+￥19.5664200+￥19.0772500+￥18.95501000+￥18.83272500+￥18.69295000+￥18.60567500+￥18.5182 -
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品类: 电子元器件分类描述: Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别46895+￥30.934850+￥29.6128200+￥28.8725500+￥28.68741000+￥28.50232500+￥28.29085000+￥28.15867500+￥28.0264 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51311+￥46.506410+￥43.8380100+￥41.8558250+￥41.5508500+￥41.24581000+￥40.90282500+￥40.59785000+￥40.4072 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGL60N100BNTD 管装39925+￥12.589250+￥12.0512200+￥11.7499500+￥11.67461000+￥11.59932500+￥11.51325000+￥11.45947500+￥11.4056 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) TO-26418891+￥93.380010+￥89.3200100+￥88.5892250+￥88.0208500+￥87.12761000+￥86.72162500+￥86.15325000+￥85.6660 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3Pin PLUS 26485681+￥220.800010+￥215.040050+￥210.6240100+￥209.0880200+￥207.9360500+￥206.40001000+￥205.44002000+￥204.4800 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFK44N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V84085+￥22.662950+￥21.6944200+￥21.1520500+￥21.01651000+￥20.88092500+￥20.72595000+￥20.62917500+￥20.5322 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度61651+￥199.582510+￥194.376050+￥190.3844100+￥188.9960200+￥187.9547500+￥186.56631000+￥185.69852000+￥184.8308 -
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品类: 电子元器件分类描述: Mosfet n-Ch 250V 170A To26432491+￥123.544510+￥120.321650+￥117.8507100+￥116.9913200+￥116.3467500+￥115.48731000+￥114.95012000+￥114.4130 -
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品类: MOS管描述: PLUS N-CH 850V 90A31041+￥229.459510+￥223.473650+￥218.8844100+￥217.2882200+￥216.0910500+￥214.49481000+￥213.49712000+￥212.4995 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-264AA62331+￥151.340010+￥147.392050+￥144.3652100+￥143.3124200+￥142.5228500+￥141.47001000+￥140.81202000+￥140.1540 -
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品类: 电子元器件分类描述: 分立半导体模块 FG, FREDFET, 100V, TO-264, RoHS27951+￥70.552510+￥67.4850100+￥66.9329250+￥66.5034500+￥65.82861000+￥65.52182500+￥65.09245000+￥64.7243 -
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品类: 电子元器件分类描述: MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-26454721+￥78.660010+￥75.2400100+￥74.6244250+￥74.1456500+￥73.39321000+￥73.05122500+￥72.57245000+￥72.1620 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules91361+￥74.232510+￥71.0050100+￥70.4241250+￥69.9722500+￥69.26221000+￥68.93942500+￥68.48765000+￥68.1003 -
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品类: MOS管描述: TO-264AA N-CH 300V 73A46091+￥125.982510+￥122.696050+￥120.1764100+￥119.3000200+￥118.6427500+￥117.76631000+￥117.21852000+￥116.6708 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 370A 1150W To26484081+￥135.803510+￥132.260850+￥129.5447100+￥128.6000200+￥127.8915500+￥126.94681000+￥126.35632000+￥125.7659 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin(3+Tab) TO-26475291+￥152.869510+￥148.881650+￥145.8242100+￥144.7608200+￥143.9632500+￥142.89981000+￥142.23512000+￥141.5705 -
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品类: MOS管描述: TO-264 N-CH 500V 74A88681+￥93.265010+￥89.2100100+￥88.4801250+￥87.9124500+￥87.02031000+￥86.61482500+￥86.04715000+￥85.5605 -
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 120A13751+￥71.323010+￥68.2220100+￥67.6638250+￥67.2297500+￥66.54751000+￥66.23742500+￥65.80325000+￥65.4311 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备2747 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备3902 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V92491+￥192.981510+￥187.947250+￥184.0876100+￥182.7451200+￥181.7382500+￥180.39581000+￥179.55672000+￥178.7177 -
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品类: MOS管描述: N沟道FREDFET N-Channel FREDFET10611+￥186.035510+￥181.182450+￥177.4617100+￥176.1675200+￥175.1969500+￥173.90281000+￥173.09392000+￥172.2851
